Новая серия включает модели емкостью 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ, в которых используется интерфейс PCI-Express 4.0 x4 (пока потенциал такого решения можно использовать только на платформе AMD X570).
Модели IRDM Ultimate X впечатляют своей производительностью. В случае двух топовых версий скорость чтения и записи данных достигает 5000/4500 МБ/с соответственно. Количество случайных операций достигает 750 000/750 000 IOPS. Менее емкая версия явно медленнее, особенно при сохранении данных.
Производитель использовал 8-канальный контроллер Phison PS5016-E16 и чипы памяти Toshiba BiCS4 3D TLC NAND, поэтому мы имеем дело с аналогичной спецификацией для носителей Corsair Force MP600 и Gigabyte Aorus NVMe Gen4. В случае моделей GOODRAM дополнительным преимуществом является эффективный радиатор, который предотвращает перегрев конструкции и потери производительности.
GOODRAM IRDM Ultimate X - технические характеристики
Тип: M.2 2280.
Интерфейс: PCI-Express 4.0 x4/NVMe 1.3.
Контроллер: Phison PS5016-E16.
Микросхемыпамяти: Toshiba BiCS4 3D TLC NAND.
Производительность – чтение:
500 ГБ: 5000/2500 МБ/с.
1 ТБ: 5000/4500 МБ/с.
2 ТБ: 5000/4500 МБ/с.
производительность — операции ввода/вывода:
500 ГБ: 550 000/400 000 IOPS
1 ТБ: 750 000/750 000 IOPS
2 ТБ: 750 000/750 000 IOPS
Новинки от GOODRAM начнут продаваться в начале ноября – и заплатить за них придется около 207 долларов США (500 ГБ), 321 доллар (1 ТБ) и 650 долларов (2 ТБ). Производитель предоставляет 5-летнюю гарантию на носитель.