Новые отчеты авторитетного источника утечек Ice Universe, несомненно, раскрывают много актуальной информации о грядущем флагманском SoC от Samsung. Новый корейский чип, который, вероятно, будет известен как Exynos 2200, будет построен с использованием 4-нм техпроцесса.
Чип якобы будет основан на технологии Samsung 4LPP (4-нм Low Power Plus), о которой на данный момент мало что известно, за исключением того, что он принесет небольшие улучшения по сравнению с 5-нм техпроцессом FinFET, который использовался в Exynos 2100. 4-нм технология от Samsung будет первой, которая реализует структуру следующего поколения MBCFETTM (Multi Bridge Channel FET), и, по словам компании, она использует технологию GAAFET (Gate All Around FET) для преодоления ограничений производительности и физического масштабирования архитектуры FinFET. Предстоящая премиальная SoC Qualcomm, Snapdragon 895, также предположительно будет производиться Samsung с использованием того же процесса.
Ice Universe утверждает, что Exynos 2200 имеет кодовое название «Памир», а его графический процессор, разработанный в сотрудничестве с AMD, известен внутри компании как «Вояджер». Графический процессор будет оснащен технологией AMD RDNA 2, и ожидается, что Samsung официально анонсирует новый Exynos в конце этого месяца. К сожалению, может пройти некоторое время, прежде чем мы увидим новый чип в действии, поскольку первое устройство на базе Exynos 2200 не ожидается до января 2022 года.
По неофициальной информации, основным ядром станет новый Arm Cortex X2. Система будет следовать конфигурации, разделенной на 3 типа ядер, одно из которых является самым эффективным. В Exynos 2100 Samsung отказалась от нестандартных ядер и перешел на дизайн Arm, и теперь ожидается, что новый графический процессор приравняет корейцев к продуктам Apple, работающим на чипах Bionic.
