О том, что Intel имеет большие проблемы с реализацией 10 нм процесса литографии, никому разъяснять не нужно. В то же время компания обещает, что со следующей 7 нм технологией все будет намного лучше - и текущая технологическая проблема — результат слишком амбициозных предположений.
Используя конференцию Fortune Brainstorm Tech 2019, журналисты Fortune расспросили генерального директора Intel Боба Свона о текущем состоянии компании и планах. Кстати, вопросы о 10 нм технологии и связанных с ней проблемах тоже были заданы.
Свон не скрывал, что Intel попала в серьезные неприятности. В качестве основной причины он указал на слишком высокие цели по плотности чипа. Вместо того чтобы придерживаться идеи двойного увеличения числа транзисторов с каждым последующим узлом, инженеры попытались поднять уровень компоновки в 2,7 раза. Это оказалось сложнее, чем ожидалось.
Но, уже очевидно, что 10 нм технология находится на последней прямой линии до начала массового производства. Позже в этом году мы увидим низковольтные процессоры Ice Lake, произведенные в этом процессе. Более того, в 2021 году первые микросхемы Intel дебютируют в 7 нм литографическом процессе, что будет означать, что 10 нм является просто переходным решением.
