Компания Samsung представила память HBM 3-го поколения в виде модели HBM2E, также известной под кодовым названием Flashbolt. Как можно легко догадаться, новое поколение означает больше мощности, более быструю передачу и лучшую энергоэффективность - и здесь есть чем гордиться.
Один стек HBM2E может иметь емкость до 16 ГБ, что вдвое больше, чем у его предшественника. В данном случае модель состоит из восьми 16-гигабайтных слоев DRAM, которые создаются в 10 нм литографическом процессе. Сами слои связаны посредством межсоединения TSV.
Согласно официальным данным, номинальная скорость передачи данных составляет 3,2 Гбит/с на дорожку, что дает общую пропускную способность 410 ГБ/с. Samsung утверждает, что он достиг максимума в 4,2 Гбит/с или 538 ГБ/с соответственно. Для справки, скорость HBM2 составляет 307 ГБ/с.
Интересным фактом является то, что современная технология, позволяет создавать модули не восьми, а 12-ти слойные, а потому еще более емкие и более быстрые. Массовое производство памяти HBM2E, как ожидается, начнется в первой половине 2020 года. В конечном счете, они достигнут графических карт в секторе HPC, ускорителей AI и различных FPGA.
